采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：38.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：149}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：38.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：38.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
