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    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 1个P沟道
    漏源电压: 12V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":30040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€50W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.5nF@6V

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€50W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.5nF@6V

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€50W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.5nF@6V

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€50W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.5nF@6V

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.1W

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    功率:1.9W€12.5W

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    栅极电荷:40nC@4.5V

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.8W€50W

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:110nC@4.5V

    输入电容:6.5nF@6V

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.1W

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2232

    规格型号(MPN):SSM3J338R,LF

    输入电容:1.4nF@6V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:17.6mΩ@8V,6A

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    功率:1W

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23mΩ@6A,4.5V

    栅极电荷:34nC@4.5V

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:6A

    反向传输电容:310pF@6V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:2.8nF@6V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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