品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":30040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG330P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:477pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5nF@6V
连续漏极电流:98.6A€18.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
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输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
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导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
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输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
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导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5nF@6V
连续漏极电流:98.6A€18.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5nF@6V
连续漏极电流:98.6A€18.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5nF@6V
连续漏极电流:98.6A€18.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
功率:1.9W€12.5W
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
栅极电荷:40nC@4.5V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
功率:1.8W€50W
连续漏极电流:98.6A€18.7A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:110nC@4.5V
输入电容:6.5nF@6V
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2232
规格型号(MPN):SSM3J338R,LF
输入电容:1.4nF@6V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:17.6mΩ@8V,6A
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
栅极电荷:34nC@4.5V
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
连续漏极电流:6A
反向传输电容:310pF@6V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:2.8nF@6V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: