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    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 300mW
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 2N7002A-TP
    MCC Mosfet场效应管 2N7002A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.81nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:0.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 BS870Q-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 BS870Q-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS870Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:0.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 BS870-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 BS870-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS870-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:0.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:0.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19.1pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1 起订19个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1 起订19个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19.1pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    MCC Mosfet场效应管 2N7002A-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002A-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 BS870-7-F 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS870-7-F 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS870-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:0.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19.1pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2V7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:0.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:0.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS84PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19.1pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170Q-13-F
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170Q-13-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170Q-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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