品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:5.6nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:657pF@25V
阈值电压:2.3V@15µA
导通电阻:60mΩ@3.2A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:190pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.1A
输入电容:218pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
导通电阻:6Ω@260mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
漏源电压:240V
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
输入电容:97pF@25V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
连续漏极电流:7.7A
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFV-7
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2147pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.2A
功率:1W
阈值电压:1.6V@250µA
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0300L-G-P002
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:190pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:640mA
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
阈值电压:2V@250µA
漏源电压:55V
栅极电荷:15.6nC@5V
功率:1W
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
栅极电荷:11nC@5V
功率:1W
ECCN:EAR99
输入电容:380pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
输入电容:570pF@10V
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€42A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@8A,10V
功率:1W
输入电容:1799pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7620S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:10.1A€12.4A
功率:1W
导通电阻:20mΩ@10.1A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
连续漏极电流:3.4A
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
连续漏极电流:2.2A
功率:1W
ECCN:EAR99
输入电容:512pF@6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:335pF@75V
导通电阻:228mΩ@2A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
导通电阻:12Ω@190mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:250V
阈值电压:2V@130µA
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
输入电容:104pF@25V
功率:1W
栅极电荷:6.1nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
导通电阻:12Ω@190mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:250V
阈值电压:2V@130µA
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
输入电容:104pF@25V
功率:1W
栅极电荷:6.1nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":9000}
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:1.6A
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:478pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
连续漏极电流:420mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
类型:P沟道
栅极电荷:6.3nC@10V
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: