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    包装方式
    功率
    1W
    行业应用
    工作温度
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 1W
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:5.6nC@5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:657pF@25V

    阈值电压:2.3V@15µA

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3664S

    连续漏极电流:13A€25A

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL014NTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL014NTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:55V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:190pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    阈值电压:2.7V@250µA

    连续漏极电流:30A€60A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.1A

    输入电容:218pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1

    导通电阻:6Ω@260mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    漏源电压:240V

    阈值电压:1.8V@108µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    输入电容:97pF@25V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:2000pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFG-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFG-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:2569pF@30V

    栅极电荷:53.1nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:7.7A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3018SFV-7

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2147pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:11A€35A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:5.2A

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    类型:2N沟道(双)共漏

    ECCN:EAR99

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    输入电容:1750pF@15V

    功率:1W

    连续漏极电流:12A€17A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN0300L-G-P002 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN0300L-G-P002 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN0300L-G-P002

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:190pF@20V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:640mA

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:1.2Ω@1A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.1A

    阈值电压:2V@250µA

    漏源电压:55V

    栅极电荷:15.6nC@5V

    功率:1W

    输入电容:510pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:55V

    栅极电荷:11nC@5V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:380pF@25V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25211W1015 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25211W1015 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25211W1015

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    输入电容:570pF@10V

    导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A€42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    功率:1W

    输入电容:1799pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7620S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7620S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7620S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€12.4A

    功率:1W

    导通电阻:20mΩ@10.1A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    连续漏极电流:3.4A

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.8A

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    输入电容:970pF@24V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:872pF@10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:11nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:150V

    栅极电荷:6.3nC@10V

    输入电容:335pF@75V

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1

    导通电阻:12Ω@190mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:250V

    阈值电压:2V@130µA

    连续漏极电流:190mA

    类型:P沟道

    输入电容:104pF@25V

    功率:1W

    栅极电荷:6.1nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1

    导通电阻:12Ω@190mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:250V

    阈值电压:2V@130µA

    连续漏极电流:190mA

    类型:P沟道

    输入电容:104pF@25V

    功率:1W

    栅极电荷:6.1nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订224个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订224个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":9000}

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1W

    输入电容:478pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    连续漏极电流:420mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    栅极电荷:6.3nC@10V

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:20V

    功率:1W

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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