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    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:480pF@15V

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K333R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K333R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K333R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@100µA

    功率:1W

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:436pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTL035N03FRATR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTL035N03FRATR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTL035N03FRATR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    输入电容:350pF@10V

    导通电阻:56mΩ@3.5A,4.5V

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J340R,LF 起订11个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J340R,LF 起订11个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J340R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    导通电阻:45mΩ@4A,10V

    输入电容:492pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRR030P03TL

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    工作温度:150℃

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订30000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订30000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    功率:1W

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF

    导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    输入电容:177pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03TL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03TL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRR030P03TL

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    工作温度:150℃

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    输入电容:2600pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:150℃

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订30000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订30000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    输入电容:310pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1V@1mA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:10nC@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    输入电容:500pF@10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N58NU,LF

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:84mΩ@2A,4.5V

    阈值电压:1V@1mA

    功率:1W

    输入电容:129pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1330-TL-W 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1330-TL-W 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":19373}

    规格型号(MPN):SCH1330-TL-W

    输入电容:120pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    阈值电压:1.4V@1mA

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    连续漏极电流:1.5A

    导通电阻:241mΩ@750mA,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3A

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:150pF@10V

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 US6M11TR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 US6M11TR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6M11TR

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    工作温度:150℃

    导通电阻:180mΩ@1.5A,4.5V

    连续漏极电流:1.5A€1.3A

    类型:N和P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:20V€12V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    输入电容:310pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1V@1mA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:150℃

    输入电容:480pF@10V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1.2V@1mA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:45mΩ@3.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR040P01TL

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    工作温度:150℃

    栅极电荷:30nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    功率:1W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02TL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:2V@1mA

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:840pF@10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K318R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K318R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K318R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:107mΩ@2A,10V

    输入电容:235pF@30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:7nC@10V

    阈值电压:2.8V@1mA

    功率:1W

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:150℃

    输入电容:480pF@10V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1.2V@1mA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:45mΩ@3.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRR030P03TL

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    工作温度:150℃

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@1mA

    输入电容:150pF@10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSL020P03FRATR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:1W

    连续漏极电流:2A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:80mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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