首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    功率:1.1W

    输入电容:637pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.1W

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:837pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    连续漏极电流:3.7A

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    输入电容:825pF@25V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.1W

    栅极电荷:46nC@10V

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:5.4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11.3A€18.1A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1153pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道

    输入电容:165pF@10V

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:3.6A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5632N-F085

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:82mΩ@1.7A,10V

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    类型:P-Channel

    栅极电荷:17.7nC@10V

    功率:1.1W

    输入电容:637pF@30V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":789400}

    规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:5.4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11.3A€18.1A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1153pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3

    阈值电压:1V@350µA

    导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.7A

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C88NT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C88NT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":7500}

    规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G

    输入电容:1252pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    导通电阻:5.4mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:11.7A€14.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041UVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041UVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041UVT-7

    导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V

    连续漏极电流:5.8A

    输入电容:689pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:2N沟道(双)

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:805pF@20V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3407SSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    输入电容:700pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.1V@250µA

    类型:P沟道

    栅极电荷:16nC@10V

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:50mΩ@4.1A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    栅极电荷:15.8nC@10V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧