品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
功率:1.1W
输入电容:637pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:837pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
连续漏极电流:3.7A
功率:1.1W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P03XTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
输入电容:825pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:75mΩ@2.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LDK-7
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:6.5mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1320pF@15V
功率:1.1W
连续漏极电流:17.1A€46.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
输入电容:165pF@10V
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
类型:P-Channel
栅极电荷:17.7nC@10V
功率:1.1W
输入电容:637pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":789400}
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3
阈值电压:1V@350µA
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
功率:1.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":7500}
规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11.7A€14.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041UVT-7
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
连续漏极电流:5.8A
输入电容:689pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:2N沟道(双)
功率:1.1W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LDK-7
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:6.5mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1320pF@15V
功率:1.1W
连续漏极电流:17.1A€46.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LDK-7
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:6.5mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1320pF@15V
功率:1.1W
连续漏极电流:17.1A€46.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
栅极电荷:15.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: