首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订11个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订11个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订2个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订2个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订15000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订15000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订11个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订11个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4485 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订6000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订6000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNEZ 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNEZ 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB23XNEZ

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:1136pF@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4485 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4485 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3000pF@20V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    连续漏极电流:3A

    输入电容:529pF@30V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧