采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"23+"：14870，"24+"：3831，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB11N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB11N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGT60R070D1ATMA4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1353}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGO60R070D1AUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
