采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：870mA€640mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN6001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.3pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：870mA€640mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016VQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：870mA€640mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1023UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
