采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：204，"07+"：34200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：204，"07+"：34200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF11N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"05+"：204，"07+"：34200}
规格型号(MPN)：NTD4302-1G
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
功率：1.04W€75W
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF11N90C
输入电容：3290pF@25V
漏源电压：900V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：67mΩ@20A，10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：4V@3.9mA
输入电容：3750pF@400V
功率：266W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20250}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
