采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOK20N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：370mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT10N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT10N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
连续漏极电流：12A
功率：50W
输入电容：2100pF@25V
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
连续漏极电流：12A
功率：50W
输入电容：2100pF@25V
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
类型：N沟道
功率：41.7W
导通电阻：9Ω@650mA，10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
输入电容：160pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
