品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3960}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:920mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":723,"16+":18000,"17+":2000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":723,"16+":18000,"17+":2000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3960}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:920mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3960}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:920mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":835}
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:185W
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
功率:40W
类型:N沟道
输入电容:1130pF@300V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3960}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:920mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: