采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25N60X5，S1F
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25N60X5，S1F
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI25N60N-F102
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
阈值电压：4.5V@570µA
输入电容：2103pF@400V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：125W
连续漏极电流：25A
包装方式：管件
栅极电荷：51nC@10V
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25A60X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25N60X5，S1F
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25N60X，S1F
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI25N60N-F102
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
