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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：113598，"13+"：950}
包装规格(MPQ)：65psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S4DPP-E0#T2
功率：29.9W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：988pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENXC7G
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6050JNZ4C13
功率：615W
阈值电压：7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4.5nF@100V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：83mΩ@25A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：113598，"13+"：950}
包装规格(MPQ)：65psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S4DPP-E0#T2
功率：29.9W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：988pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：230}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
