品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKN75N60C
工作温度:-40℃~150℃
功率:560W
阈值电压:3.9V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:410nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5348pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4354pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R099C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@1.21mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@100V
连续漏极电流:37.9A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":18500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":97}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":25185,"12+":3000,"13+":675,"14+":326825,"15+":75,"18+":13350,"9999":75}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD02N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:274pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:347nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:524W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7612pF@100V
连续漏极电流:99A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R070C6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:3.5V@1.72mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@100V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2103pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@11.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6025BVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5160pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":8,"18+":267,"19+":565}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD01N60-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: