采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC
包装方式：管件
连续漏极电流：41A
类型：MOSFET
导通电阻：68mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M75L2LLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：893W
阈值电压：5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8.93nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC
包装方式：管件
连续漏极电流：41A
类型：MOSFET
导通电阻：68mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
栅极电荷：19nC@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP8N60C
类型：1个N沟道
栅极电荷：36nC@10V
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
输入电容：1.255nF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M75L2LLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：893W
阈值电压：5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8.93nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
