采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R099C6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R099C6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：294}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
输入电容：2587pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
功率：329W
包装方式：管件
栅极电荷：62nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
