采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP04N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5454}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF4N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80ZYD
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10，"17+"：16500，"18+"：79999，"9999"：1430，"MI+"：1500}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R1K4P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.05nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K4P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5454}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF4N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K4P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：90，"21+"：2500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：90，"21+"：2500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N50CTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：375，"17+"：1600，"19+"：1500，"22+"：1497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R1K4P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：9781，"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R1K4P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：9781，"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R1K4P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT4N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R1K4P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.05nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
