品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH12N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:543W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH12N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:543W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG
栅极电荷:100nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1200V
输入电容:2540pF@25V
导通电阻:1.25Ω@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH12N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:543W
阈值电压:6.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: