采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"19+"：37000，"22+"：39000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"19+"：37000，"22+"：39000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
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漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.8A
功率：20W
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@900mA，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.8A
功率：20W
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@900mA，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
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包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
