采购热线 400-661-9010
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz，140MHz
功率：290mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：37520}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：320mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：100MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：420mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz，140MHz
功率：290mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：210MHz
功率：325mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"12+"：1550，"13+"：24000，"14+"：17829，"15+"：27000，"16+"：15000，"18+"：104000，"19+"：2000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：2930，"20+"：28000，"21+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：36000，"21+"：6000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：12V
特征频率：260MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：100MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：100MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：100MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：35853}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：100MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
