销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":37520}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:320mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):82@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:420mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":25000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:210MHz
功率:325mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"12+":1550,"13+":24000,"14+":17829,"15+":27000,"16+":15000,"18+":104000,"19+":2000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:330mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":2930,"20+":28000,"21+":21000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":3000,"19+":36000,"21+":6000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,215
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@5mA,100mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):12V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":35853}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: