销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：125mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：80mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

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销售单位：个

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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特征频率：80MHz

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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集射极击穿电压(Vceo)：60V

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

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ECCN：EAR99

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输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

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特征频率：80MHz

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

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ECCN：EAR99

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集电极电流(Ic)：80mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：80mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：125mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

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特征频率：80MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

功率：125mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：80MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

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特征频率：80MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

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特征频率：80MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

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特征频率：80MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1