采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：235mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"20+"：152156}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：300mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP52T1G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：1A
功率：800mW
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD44E3T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：10A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52，115
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
特征频率：200MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP62，115
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.25W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
特征频率：200MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSP52T1G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：1A
功率：800mW
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP52T1G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：1A
功率：800mW
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
