销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V

集电极电流(Ic)：800mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：300MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：180@300mA，5V

集电极电流(Ic)：600mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：180@300mA，5V

集电极电流(Ic)：600mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：25000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：210MHz

功率：325mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：338mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：23092，"06+"：99000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2930，"20+"：28000，"21+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：30000，"07+"：39000，"14+"：15000，"17+"：6000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：288000，"19+"：42000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：6000，"13+"：159000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：3000，"19+"：36000，"21+"：6000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：1210895，"12+"：24000，"13+"：24000，"14+"：87000，"15+"：132000，"16+"：69000，"17+"：48000，"19+"：9000，"9999"：402}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：129500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：152000，"16+"：320000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：254mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：50000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1