销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：4.7kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

电阻比：10

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：2个PNP-预偏置

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：35000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

功率：325mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：500mA

特征频率：210MHz

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

电阻比：2.1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：4.7kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：10

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：30000，"19+"：60000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：62307}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：230MHz

功率：250mW

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

电阻比：2.1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：6000，"16+"：2201，"17+"：2690，"19+"：29550，"21+"：3000，"22+"：141000}

销售单位：个

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

ECCN：EAR99

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

电阻比：2.1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：4.7kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：10

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：4.7kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：10

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：37520}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：320mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：170，"17+"：850，"19+"：1120，"21+"：561000}

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：3000，"19+"：352000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1