采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5802NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€93.75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5025pF@25V
连续漏极电流：16.4A€101A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6671，"23+"：556}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5802NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€93.75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5025pF@25V
连续漏极电流：16.4A€101A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：282}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF4104
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5802NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€93.75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5025pF@25V
连续漏极电流：16.4A€101A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
