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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75P04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：9.7mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75P04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：9.7mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN9R614MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN9R614MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
