品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1550TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@25V€70pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1550TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@25V€70pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5017BVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5280pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1550TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@25V€70pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1550TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@25V€70pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:13Ω@400mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:13Ω@400mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5118
工作温度:150℃
功率:4W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:6N-沟道(3相桥)
导通电阻:1.4Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: