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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
漏源电压：500V
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.86nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：265mΩ@10V，9A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
漏源电压：500V
导通电阻：200mΩ@12A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：4.31nF@25V
栅极电荷：85nC@10V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
连续漏极电流：24A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
