品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2475,"22+":37500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2475,"22+":37500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1395}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R650CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2475,"22+":37500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4565}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50UTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
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输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
漏源电压:500V
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@150µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:342pF@100V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
漏源电压:500V
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
功率:69W
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阈值电压:3.5V@150µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:342pF@100V
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连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":9900}
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
漏源电压:500V
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功率:69W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@150µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:342pF@100V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1395}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R650CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: