采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
功率：740mW
漏源电压：500V
输入电容：10pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N50CTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890mW（Ta），2.08W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：195 pF @ 25 V
连续漏极电流：380mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 欧姆 @ 190mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
