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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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功率：2W
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栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
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连续漏极电流：2A
阈值电压：5.5V@250µA
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功率：2W
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类型：N沟道
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