品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45529}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR825TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1346pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":4007,"17+":869}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5026DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:28.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45529}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR825TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1346pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45529}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR825TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1346pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45529}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR825TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1346pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":4007,"17+":869}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5026DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:28.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":4007,"17+":869}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5026DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:28.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":4007,"17+":869}
规格型号(MPN):RJK5026DPP-E0#T2
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
工作温度:150℃
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:28.5W
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: