采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2625，"15+"：128500，"16+"：4390，"18+"：500，"MI+"：17000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R350CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2625，"15+"：128500，"16+"：4390，"18+"：500，"MI+"：17000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R350CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2625，"15+"：128500，"16+"：4390，"18+"：500，"MI+"：17000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R350CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2625，"15+"：128500，"16+"：4390，"18+"：500，"MI+"：17000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R350CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：2400}
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
漏源电压：500V
功率：143W
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2210pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：2400}
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
漏源电压：500V
功率：143W
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2210pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
