品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2400}
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
漏源电压:500V
功率:143W
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2210pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:476pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:13Ω@400mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@30µA
输入电容:84pF@100V
功率:26W
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,13V
栅极电荷:4.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R380CEAUMA1
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@100V
连续漏极电流:14.1A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@260µA
功率:98W
栅极电荷:24.8nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,13V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
漏源电压:500V
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@150µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:342pF@100V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@30µA
输入电容:84pF@100V
功率:26W
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,13V
栅极电荷:4.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:230mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
类型:N沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:10Ω@300mA,0V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF-BE3
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@100µA
类型:N沟道
功率:53W
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
栅极电荷:10.5nC@10V
输入电容:231pF@100V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:13Ω@400mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF
漏源电压:500V
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
输入电容:620pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
功率:74W
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
漏源电压:500V
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@150µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:342pF@100V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@70µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:42W
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:178pF@100V
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB20N50F
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
输入电容:3390pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":9900}
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
漏源电压:500V
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@150µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:342pF@100V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:476pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:230mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
类型:N沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:10Ω@300mA,0V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2400}
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
漏源电压:500V
功率:143W
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2210pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
输入电容:124pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:6nC@10V
阈值电压:3.5V@50µA
功率:33W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:230mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
类型:N沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:10Ω@300mA,0V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840STRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF820STRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
功率:3.1W€50W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: