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    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":2400}

    规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS

    漏源电压:500V

    功率:143W

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:2210pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT4N50NZU

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:9.1nC@10V

    输入电容:476pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2450N8-G

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:250mA

    输入电容:150pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@1mA

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:13Ω@400mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3.5V@30µA

    输入电容:84pF@100V

    功率:26W

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    栅极电荷:4.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R380CEAUMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R380CEAUMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R380CEAUMA1

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@100V

    连续漏极电流:14.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@260µA

    功率:98W

    栅极电荷:24.8nC@10V

    导通电阻:380mΩ@3.2A,13V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    输入电容:440pF@25V

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1018pF@25V

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    漏源电压:500V

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    功率:69W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:3.5V@150µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:342pF@100V

    栅极电荷:15nC@10V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3.5V@30µA

    输入电容:84pF@100V

    功率:26W

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    栅极电荷:4.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1018pF@25V

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    输入电容:440pF@25V

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450N8-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450N8-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2450N8-G

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:230mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:200pF@25V

    类型:N沟道

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:10Ω@300mA,0V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF-BE3

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3.5V@100µA

    类型:N沟道

    功率:53W

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    栅极电荷:10.5nC@10V

    输入电容:231pF@100V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2450N8-G

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:250mA

    输入电容:150pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@1mA

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:13Ω@400mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    输入电容:440pF@25V

    漏源电压:500V

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    漏源电压:500V

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    输入电容:620pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    功率:74W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1018pF@25V

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    漏源电压:500V

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    功率:69W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:3.5V@150µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:342pF@100V

    栅极电荷:15nC@10V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:3.5V@70µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.1A

    功率:42W

    栅极电荷:8.2nC@10V

    输入电容:178pF@100V

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    栅极电荷:65nC@10V

    连续漏极电流:20A

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    输入电容:3390pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订1201个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订1201个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":9900}

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    漏源电压:500V

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    功率:69W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:3.5V@150µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:342pF@100V

    栅极电荷:15nC@10V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT4N50NZU

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:9.1nC@10V

    输入电容:476pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450N8-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450N8-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2450N8-G

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:230mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:200pF@25V

    类型:N沟道

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:10Ω@300mA,0V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":2400}

    规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS

    漏源电压:500V

    功率:143W

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:2210pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R2K0CEAUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R2K0CEAUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1

    导通电阻:2Ω@600mA,13V

    漏源电压:500V

    输入电容:124pF@100V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:6nC@10V

    阈值电压:3.5V@50µA

    功率:33W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2450N8-G

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:230mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:200pF@25V

    类型:N沟道

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:10Ω@300mA,0V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1300pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820STRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820STRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF820STRRPBF

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    功率:3.1W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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