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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 500V
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    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订75个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订75个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订1050个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订1050个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

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    功率:2.5W€50W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:19A

    类型:MOSFET

    导通电阻:184mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3

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    功率:34W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC

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    连续漏极电流:19A

    类型:MOSFET

    导通电阻:184mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:19A

    类型:MOSFET

    导通电阻:184mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    漏源电压:500V

    功率:2.5W€50W

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    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:23nC@10V

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:660pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:19A

    类型:MOSFET

    导通电阻:184mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N50

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:265mΩ@10V,9A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订510个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订510个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订120个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订120个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订2025个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订2025个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N50APBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N50APBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP22N50APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:277W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.45nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订525个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订525个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N50APBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N50APBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP22N50APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:277W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.45nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N50APBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP22N50APBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP22N50APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:277W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.45nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA20N50E-GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:19A

    类型:MOSFET

    导通电阻:184mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDA24N50F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA24N50F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA24N50F

    漏源电压:500V

    导通电阻:200mΩ@12A,10V

    类型:1个N沟道

    输入电容:4.31nF@25V

    栅极电荷:85nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270W

    连续漏极电流:24A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订120个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订120个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    漏源电压:500V

    功率:446W

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:36A

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:5.579nF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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