品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
漏源电压:500V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.86nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:265mΩ@10V,9A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
漏源电压:500V
导通电阻:200mΩ@12A,10V
类型:1个N沟道
输入电容:4.31nF@25V
栅极电荷:85nC@10V
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
连续漏极电流:24A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
漏源电压:500V
功率:446W
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:36A
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:5.579nF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: