采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6102500，"18+"：119008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3190NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：53580，"23+"：37565，"24+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3164NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：361mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3193NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3113PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@16V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3193NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：354，"22+"：14000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTCG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3154NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：36000，"13+"：7940，"15+"：336000，"18+"：629869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNUS3171PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@15V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3954，"11+"：2950，"12+"：119518，"13+"：750000，"18+"：3000，"19+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC510P-F106
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7860pF@10V
连续漏极电流：12A€18A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：53580，"23+"：37565，"24+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3164NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：361mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2376，"15+"：1974，"16+"：1480，"18+"：88348，"19+"：206928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3A65PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：44pF@10V
连续漏极电流：281mA
类型：P沟道
导通电阻：1.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：33686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7628
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：15228，"09+"：2080578，"10+"：216000，"9999"：3497，"MI+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3127CT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@15V
连续漏极电流：160mA€140mA
类型：N和P沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC510P-F106
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7860pF@10V
连续漏极电流：12A€18A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
