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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004TK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004TK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004TK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2027UPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2027UPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2027UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@10V

    连续漏极电流:10A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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