采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
输入电容：1145pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：83mΩ@13A，18V
连续漏极电流：36A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R010M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：187A
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R030M1HXTMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：63nC@18V
功率：300W
ECCN：EAR99
输入电容：2290pF@800V
阈值电压：5.7V@11.5mA
导通电阻：41mΩ@25A，18V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：63mΩ@16A，18V
连续漏极电流：47A
输入电容：1527pF@800V
栅极电荷：46nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R080M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：796}
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
栅极电荷：23nC@18V
阈值电压：5.7V@3.7mA
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
输入电容：1145pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：83mΩ@13A，18V
连续漏极电流：36A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：63mΩ@16A，18V
连续漏极电流：47A
输入电容：1527pF@800V
栅极电荷：46nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：491pF@800V
导通电阻：189mΩ@6A，18V
栅极电荷：13.4nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：63mΩ@16A，18V
连续漏极电流：47A
输入电容：1527pF@800V
栅极电荷：46nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
栅极电荷：9.4nC@18V
导通电阻：294mΩ@4A，18V
输入电容：312pF@800V
ECCN：EAR99
阈值电压：5.7V@1.6mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：491pF@800V
导通电阻：189mΩ@6A，18V
栅极电荷：13.4nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R010M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：187A
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
输入电容：1145pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：83mΩ@13A，18V
连续漏极电流：36A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R010M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：187A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
