品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:41W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:41W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:41W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
功率:41W(Tc)
连续漏极电流:12A(Tc)
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
栅极电荷:44 nC @ 10 V
类型:N 通道
包装方式:管件
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
输入电容:640 pF @ 25 V
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:9 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2145
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR5410TRL
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760 pF @ 25 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:205 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2145
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR5410TRL
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760 pF @ 25 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:205 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD86100
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF @ 50V
连续漏极电流:10A
类型:2 N 沟道(双)共源
导通电阻:10.5 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2145
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR5410TRL
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760 pF @ 25 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:205 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W(Ta),156W(Tc)
栅极电荷:111 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
输入电容:7835 pF @ 50 V
导通电阻:2.95 毫欧 @ 24A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:24A(Ta),162A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W(Ta),156W(Tc)
栅极电荷:111 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
输入电容:7835 pF @ 50 V
导通电阻:2.95 毫欧 @ 24A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:24A(Ta),162A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB55N10TM
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
类型:N 通道
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
栅极电荷:98 nC @ 10 V
输入电容:2730 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:55A(Tc)
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
连续漏极电流:1.7A(Tc)
导通电阻:350 毫欧 @ 850mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2W(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5 nC @ 10 V
输入电容:250 pF @ 25 V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2331
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
输入电容:1266pF @ 50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:2 N-通道(双)
阈值电压:4V @ 250µA
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: