包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：10Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1750}

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

功率：24W

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

栅极电荷：13nC

阈值电压：2V

导通电阻：54mΩ

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500，"23+"：1977}

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：10Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500，"23+"：1977}

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1