品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6294
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66912
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€500W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@50V
连续漏极电流:49A€380A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66912
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€500W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@50V
连续漏极电流:49A€380A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6294
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66912
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€500W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@50V
连续漏极电流:49A€380A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: