品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1590,"24+":633870}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3984-ZK-E1-AY
功率:20W€1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1590,"24+":633870}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1590,"24+":633870}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1590,"24+":633870}
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
连续漏极电流:4.2A€19A
输入电容:530pF@25V
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@250µA
输入电容:434pF@50V
导通电阻:220mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@250µA
输入电容:434pF@50V
导通电阻:220mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A€19A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3984-ZK-E1-AY
功率:20W€1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@250µA
输入电容:434pF@50V
导通电阻:220mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: