采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
