品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHM792TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:4V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3601N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:500mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":75014,"23+":145433,"24+":6509}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S4L61AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S461AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:490pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K32-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3168pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S461AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S436AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:3.5V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":380,"23+":3039}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S436AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:3.5V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S461AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: