品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":16500,"22+":5040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU8P10TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4665pF@50V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86181
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4125pF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
连续漏极电流:10.7A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86140
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@50V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7835pF@50V
连续漏极电流:24A€162A
类型:N沟道
导通电阻:2.95mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86105
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:645pF@50V
连续漏极电流:6A€26A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4731,"21+":5201}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:3.3A€16A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@50V
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3601N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:500mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: