品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R225C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
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栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511KND3TL1
功率:124W
阈值电压:5V@320μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511KND3TL1
功率:124W
阈值电压:5V@320μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511KND3TL1
功率:124W
阈值电压:5V@320μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: