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    ECCN
    漏源电压
    25V
    类型
    工作温度
    行业应用
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 25V
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":42,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2980
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:161nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6670pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2917}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:605
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:41A€298A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":828458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ013NE2LS5IATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ013NE2LS5IATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4195}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ013NE2LS5IATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@12V

    连续漏极电流:32A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:486
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB65N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:822
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:47A€310A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:673
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:41A€298A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV303N 起订8个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV303N 起订8个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@12V

    连续漏极电流:25A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@12V

    连续漏极电流:39A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC026NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€29W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12V

    连续漏极电流:24A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTP65N02R
    onsemi Mosfet场效应管 NTP65N02R

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2642,"04+":450,"05+":9000,"MI+":4300}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP65N02R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7572S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7572S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7572S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€46W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2780pF@13V

    连续漏极电流:23A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@23A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:396
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订1099个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订1099个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@12V

    连续漏极电流:39A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.52mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11894}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB23N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2498
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV303N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV303N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7580 起订404个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7580 起订404个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):404psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7580

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€27W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1190pF@13V

    连续漏极电流:15A€29A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:404
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PH2525L,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PH2525L,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":17518}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PH2525L,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4470pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1527
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