品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":42,"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
连续漏极电流:18A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:653pF@10V
连续漏极电流:9.9A€21A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@8.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":828458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4195}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ013NE2LS5IATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@12V
连续漏极电流:32A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29048,"23+":5580}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5250TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€160W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7174pF@13V
连续漏极电流:45A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
连续漏极电流:18A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB65N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@12V
连续漏极电流:25A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@12V
连续漏极电流:39A€58A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: