采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：75，"08+"：342}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：[]
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：498}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD1N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD1N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8570}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8570}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD1N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD1N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD1N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD1N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48，"11+"：1000，"12+"：36100，"13+"：332，"15+"：2176，"16+"：0，"MI+"：877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：107W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：4000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48，"11+"：1000，"12+"：36100，"13+"：332，"15+"：2176，"16+"：0，"MI+"：877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：107W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
